| Title: |
Noise characteristics of AlInN/GaN HEMTs at microwave frequencies |
| Authors: |
Nsele, Séraphin Dieudonné; Escotte, Laurent; Tartarin, Jean-Guy; Piotrowicz, Stéphane |
| Contributors: |
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse); Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (LAAS-MOST); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab); THALES France -ALCATEL |
| Source: |
Noise and Fluctuations (ICNF), 2013 22nd International Conference on ; International Conference on Noise and Fluctuations ; https://hal.science/hal-00859789 ; International Conference on Noise and Fluctuations, Jun 2013, Montpellier, France. pp.10.1109/ICNF.2013.6578989 |
| Publisher Information: |
CCSD |
| Publication Year: |
2013 |
| Collection: |
Université Toulouse III - Paul Sabatier: HAL-UPS |
| Subject Terms: |
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics |
| Subject Geographic: |
Montpellier; France |
| Description: |
International audience ; The microwave noise parameters measured on AlInN/GaN HEMTs devices with different gate length values are presented in this paper. 0.15-µm HEMTs achieve a maximum current density of 700 mA/mm at VGS= 0 V and a measured extrinsic transconductance of 350 mS/mm. The current gain cutoff frequency and the maximum oscillation frequency are 40 GHz and 70 GHz, respectively. At 10 (20) GHz, the device exhibits a minimum noise figure of 0.8 dB (1.8) dB with an associated power gain of 14 (8.8) dB. Below 8 GHz, the gate leakage current and a generation-recombination noise source with a very short time constant limit the noise performance. |
| Document Type: |
conference object |
| Language: |
English |
| Availability: |
https://hal.science/hal-00859789; https://hal.science/hal-00859789v1/document; https://hal.science/hal-00859789v1/file/nsele_icnf2013.pdf |
| Rights: |
info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| Accession Number: |
edsbas.2C96E0BF |
| Database: |
BASE |