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200 mm Wafer Level Characterization at 2 K of Si/SiGe Field-Effect Transistors

Title: 200 mm Wafer Level Characterization at 2 K of Si/SiGe Field-Effect Transistors
Authors: Komericki, Nikola David; Muster, Pascal; Reichmann, Felix; Huckemann, Till; Kaufmann, Daniel; Yamamoto, Yuji; Lisker, Marco; Langheinrich, Wolfram; Schreiber, Lars R; Bluhm, Hendrik; Quay, Rüdiger
Source: ECS transactions. - 114, 2 (2024) , 133-144, ISSN: 1938-6737
Publication Year: 2024
Collection: University of Freiburg: FreiDok
Document Type: article in journal/newspaper
Language: English
Relation: https://freidok.uni-freiburg.de/data/260330
DOI: 10.1149/11402.0133ecst
Availability: https://freidok.uni-freiburg.de/data/260330; https://doi.org/10.1149/11402.0133ecst
Accession Number: edsbas.49F44EDD
Database: BASE