| Title: |
Dissipative layers for HSQ resist nanopatterning by E-beam lithography on insulating substrates ; Couche dissipative pour nanostructuration de résine HSQ par lithographie électronique sur substrat isolant |
| Authors: |
Vaillard, Anne-Sophie; Deblock, Yves; Tilmant, Pascal; Guérin, David; Boyaval, Christophe; Di Gioia, Giuseppe |
| Contributors: |
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN); Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN); Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA); Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA); Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL); This work was partily supported by the French Renatech network; Renateck network; CMNF |
| Source: |
Journées Renatech 2025 Litho & Gravure ; https://hal.science/hal-05316242 ; Journées Renatech 2025 Litho & Gravure, Renateck network, Jun 2025, Palaiseau, France ; https://renatech-lg2025.sciencesconf.org/ |
| Publisher Information: |
CCSD |
| Publication Year: |
2025 |
| Collection: |
Université Polytechnique Hauts-de-France: HAL |
| Subject Terms: |
Nanostructured glass; EBL; E-beam lithography; PEDOT:PSS; Graphene; HSQ resist; [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics |
| Subject Geographic: |
Palaiseau; France |
| Description: |
International audience ; Dissipative layer is a key element in nanopatterning resist such as HSQ on insulating substrates. At IEMN we are currently investigating different strategies to avoid surface charging effect. Since a single top layer of Ge or Au leads to non-conform patterning, the first approach involves transferring a graphene monolayer prior the HSQ deposition. The second path deals with transparent conductive polymer layers. For the bottom layer, the polymer is cross-linked for stability purposes and requires a post-treatment to improve the resulting degraded conductivity. For upper layer, the polymer is mixed a surfactant that allow a good spreading on HSQ and with a polar solvent which promotes both conductivity and polymer swelling to facilitate lift-off in water prior the HSQ development. Last but not least, a sacrificial positive metallic mesh can be patterned using a positive lithography and subsequent etching by RIBE prior the negative HSQ is written. We hope those developments will pave the way to useful breakthroughs for the e-beam lithography community. ; La couche dissipative est un élément clé dans les résines nanostructurées telles que le HSQ sur des substrats isolants. À l'IEMN, nous étudions actuellement différentes stratégies pour éviter l'effet de charge superficielle. Étant donné qu'une seule couche supérieure de Ge ou d'Au entraîne une structuration non conforme, la première approche consiste à transférer une monocouche de graphène avant le dépôt de HSQ. La deuxième approche concerne les couches de polymères conducteurs transparents. Pour la couche inférieure, le polymère est réticulé à des fins de stabilité et nécessite un post-traitement afin d'améliorer la conductivité dégradée qui en résulte. Pour la couche supérieure, le polymère est mélangé à un tensioactif qui permet une bonne répartition sur le HSQ et à un solvant polaire qui favorise à la fois la conductivité et le gonflement du polymère afin de faciliter le décollage dans l'eau avant le développement du HSQ. Enfin, un ... |
| Document Type: |
conference object |
| Language: |
English |
| Availability: |
https://hal.science/hal-05316242 |
| Rights: |
https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/ |
| Accession Number: |
edsbas.5D40832 |
| Database: |
BASE |