| Title: |
Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN |
| Authors: |
Nsele, Séraphin Dieudonné; Escotte, Laurent; Tartarin, Jean-Guy; Piotrowicz, Stéphane; Delage, Sylvain L. |
| Contributors: |
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse); Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (LAAS-MOST); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab); THALES France -ALCATEL |
| Source: |
Journées Nationales Microondes ; https://hal.science/hal-00860965 ; Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.Id263 |
| Publisher Information: |
CCSD |
| Publication Year: |
2013 |
| Collection: |
Université Toulouse III - Paul Sabatier: HAL-UPS |
| Subject Terms: |
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics |
| Subject Geographic: |
Paris; France |
| Description: |
National audience ; Un modèle large bande de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie et de la transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN est présenté dans cet article. Ce modèle prend en compte tous les types de dispersion jusqu'aux fréquences micro-ondes ainsi que le caractère distribué des constantes de temps des pièges à l'origine de ces dispersions. Il a été validé en comparant les résultats de modélisation aux paramètres expérimentaux pour plusieurs conditions de polarisation. |
| Document Type: |
conference object |
| Language: |
French |
| Availability: |
https://hal.science/hal-00860965; https://hal.science/hal-00860965v1/document; https://hal.science/hal-00860965v1/file/Modelisation_Large_Bande.pdf |
| Rights: |
info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| Accession Number: |
edsbas.6C849BDC |
| Database: |
BASE |