| Title: |
A Dual-Gate Memory Cell with Two Inter-Poly Oxides |
| Authors: |
Raguet, Jean-René; Calenzo, Patrick; Laffont, Romain; Deleruyelle, Damien; Bouchakour, Rachid; Bidal, Virginie; Regnier, Arnaud; Niel, Stephan; Fornara, Pascal; Mirabel, Jean-Michel |
| Contributors: |
STMicroelectronics Rousset (ST-ROUSSET); Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP); Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); INL - Electronique (INL - ELEC); Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL); École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL); Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS); INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE); Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon); Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA); STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES) |
| Source: |
ISSN: 0021-4922 ; Japanese Journal of Applied Physics ; https://hal.science/hal-05006735 ; Japanese Journal of Applied Physics, 2009, 48 (4S), pp.04C058. ⟨10.1143/JJAP.48.04C058⟩. |
| Publisher Information: |
CCSD; Japan Society of Applied Physics |
| Publication Year: |
2009 |
| Collection: |
Université de Toulon: HAL |
| Subject Terms: |
[SPI]Engineering Sciences [physics] |
| Description: |
International audience |
| Document Type: |
article in journal/newspaper |
| Language: |
English |
| DOI: |
10.1143/JJAP.48.04C058 |
| Availability: |
https://hal.science/hal-05006735; https://doi.org/10.1143/JJAP.48.04C058 |
| Accession Number: |
edsbas.8419C268 |
| Database: |
BASE |