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Electrical characterisation of Si nanowires by scanning probe microscopy

Title: Electrical characterisation of Si nanowires by scanning probe microscopy
Authors: Kogelschatz, M.; Potié, A.; Abed, H.; Dhalluin, F.; Salem, B.; Baron, T.
Contributors: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM); Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Source: GdR Nanofils et Nanotubes Semiconducteurs ; https://hal.science/hal-00461109 ; GdR Nanofils et Nanotubes Semiconducteurs, 2009, Autrans, France
Publisher Information: CCSD
Publication Year: 2009
Collection: Université Grenoble Alpes: HAL
Subject Geographic: Autrans; France
Document Type: conference object
Language: English
Availability: https://hal.science/hal-00461109
Accession Number: edsbas.898CEEC0
Database: BASE