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Highly tunable high-Q inversion-mode MOS varactor in the 1-325-GHz band

Title: Highly tunable high-Q inversion-mode MOS varactor in the 1-325-GHz band
Authors: Margalef-Rovira, Marc; Saadi, Abdelhalim; Vincent, L.; Lepilliet, Sylvie; Gaquière, Christophe; Gloria, D.; Durand, C.; Barragan, Manuel J.; Pistono, Emmanuel; Bourdel, Sylvain; Ferrari, Philippe
Contributors: Reliable RF and Mixed-signal Systems (TIMA-RMS); Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA); Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP); Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP); Université Grenoble Alpes (UGA); Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits (RFIC-Lab); Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP); Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA); Centre interuniversitaire de microélectronique et nanotechnologies (CIME Nanotech); Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP); Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN); Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF); Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN); Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF); STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES); 0.13039/501100011688-European Union through Toward Advanced BiCMOS NanoTechnology Platforms for RF Applications, Taranto (Grant Number: ECSEL JU GA 737454); PCMP CHOP; Laboratoire commun STMicroelectronics-IEMN T1; European Project: 737454,H2020-ECSEL-2016-1-RIA-two-stage,H2020-ECSEL-2016-1-RIA-two-stage,TARANTO(2017)
Source: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-02899947 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (6), pp.2263-2269. ⟨10.1109/TED.2020.2989726⟩.
Publisher Information: CCSD; Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication Year: 2020
Collection: Université Polytechnique Hauts-de-France: HAL
Subject Terms: PACS 8542; [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Description: International audience ; This article presents the design, experimental results, and modeling of an inversion-mode CMOS varactor integrated in the STMicroelectronics 55-nm BiCMOS technology. The device was characterized from 1 to 325 GHz, demonstrating high-quality factor at millimeter-waves. For instance, a quality factor of 7 at around 190 GHz for a tuning ratio (C max /C min ) greater than 4 was measured. This performance overpasses that of accumulation-mode varactors usually provided in CMOS technologies design kits, for frequencies beyond about 100 GHz. In addition, a smallsignal electrical model is provided from 100 to 250 GHz.
Document Type: article in journal/newspaper
Language: English
Relation: info:eu-repo/grantAgreement//737454/EU/TowARds Advanced bicmos NanoTechnology platforms for rf and thz applicatiOns/TARANTO
DOI: 10.1109/TED.2020.2989726
Availability: https://hal.science/hal-02899947; https://hal.science/hal-02899947v1/document; https://hal.science/hal-02899947v1/file/2020-T_ED_FINAL.pdf; https://doi.org/10.1109/TED.2020.2989726
Rights: https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ ; info:eu-repo/semantics/OpenAccess
Accession Number: edsbas.8F7D76E5
Database: BASE