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Exploring backside contact formation on SmartSiC™ engineered substrates using nanosecond laser anneal

Title: Exploring backside contact formation on SmartSiC™ engineered substrates using nanosecond laser anneal
Authors: Gelineau, Guillaume; Opprecht, Mathieu; Troutot, Nicolas; Das, Dhruba; Kerdiles, Sébastien; Huet, Stéphanie; Widiez, Julie
Contributors: Département Composants Silicium (DCOS); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI); Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)); Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Source: ICSCRM 25 - The 22ND International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; https://cea.hal.science/cea-05533760 ; ICSCRM 25 - The 22ND International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2025, Busan, South Korea. , 2025 ; http://icscrm2025.org/
Publisher Information: CCSD
Publication Year: 2025
Collection: HAL-CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Subject Terms: [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
Subject Geographic: Busan; South Korea
Description: International audience
Document Type: conference object; still image
Language: English
Availability: https://cea.hal.science/cea-05533760; https://cea.hal.science/cea-05533760v1/document; https://cea.hal.science/cea-05533760v1/file/ICSCRM%202025_GGe_LaserAnnealPolySiC_v4.pdf
Rights: https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/ ; info:eu-repo/semantics/OpenAccess
Accession Number: edsbas.B011F58B
Database: BASE