| Title: |
Broadband Frequency Dispersion Small Signal Modeling of the Output Conductance and Transconductance in AlInN/GaN HEMTs |
| Authors: |
Nsele, Séraphin Dieudonné; Escotte, Laurent; Tartarin, Jean-Guy; Piotrowicz, Stéphane; Delage, Sylvain L. |
| Contributors: |
Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (LAAS-MOST); Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS); Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse); Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole); Communauté d'universités et établissements de Toulouse (Comue de Toulouse); Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab); THALES France -ALCATEL |
| Source: |
ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-00859123 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (4), pp. 1372-1378. |
| Publisher Information: |
CCSD; Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| Publication Year: |
2013 |
| Collection: |
Université Toulouse III - Paul Sabatier: HAL-UPS |
| Subject Terms: |
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics |
| Description: |
International audience ; Frequency dispersion of transconductance and output conductance in AlInN/GaN high electron mobility transistors is investigated in this paper. Broadband dispersion effects in the microwave frequency range are reported for the first time. A small-signal model is developed. Trapping effects are taken into account with parasitic electrical networks including distributed time constants. The model is compared to experimental data for several bias conditions and different types of dispersion. |
| Document Type: |
article in journal/newspaper |
| Language: |
English |
| Availability: |
https://hal.science/hal-00859123; https://hal.science/hal-00859123v1/document; https://hal.science/hal-00859123v1/file/Broadband_Frequency_dispersion.pdf |
| Rights: |
info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| Accession Number: |
edsbas.C1FC70AD |
| Database: |
BASE |