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Couche dissipative pour nanostructuration de résine HSQ par lithographie électronique sur substrat isolant

Title: Couche dissipative pour nanostructuration de résine HSQ par lithographie électronique sur substrat isolant
Authors: Vaillard, Anne-Sophie; Deblock, Yves; Tilmant, Pascal; Guérin, David; Boyaval, Christophe; Di Gioia, Giuseppe
Contributors: Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN CMNF - IEMN
Publication Year: 2025
Collection: LillOA (Lille Open Archive - Université de Lille)
Subject Terms: Nanostructured glass; EBL; E-beam lithography; PEDOT:PSS; Graphene; HSQ resist
Description: La couche dissipative est un élément clé dans les résines nanostructurées telles que le HSQ sur des substrats isolants. À l'IEMN, nous étudions actuellement différentes stratégies pour éviter l'effet de charge superficielle. Étant donné qu'une seule couche supérieure de Ge ou d'Au entraîne une structuration non conforme, la première approche consiste à transférer une monocouche de graphène avant le dépôt de HSQ. La deuxième approche concerne les couches de polymères conducteurs transparents. Pour la couche inférieure, le polymère est réticulé à des fins de stabilité et nécessite un post-traitement afin d'améliorer la conductivité dégradée qui en résulte. Pour la couche supérieure, le polymère est mélangé à un tensioactif qui permet une bonne répartition sur le HSQ et à un solvant polaire qui favorise à la fois la conductivité et le gonflement du polymère afin de faciliter le décollage dans l'eau avant le développement du HSQ. Enfin, un maillage métallique positif sacrificiel peut être modelé à l'aide d'une lithographie positive, puis gravé par RIBE avant l'écriture du HSQ négatif. Nous espérons que ces développements ouvriront la voie à des avancées utiles pour la communauté de la lithographie par faisceau électronique. ; Dissipative layer is a key element in nanopatterning resist such as HSQ on insulating substrates. At IEMN we are currently investigating different strategies to avoid surface charging effect. Since a single top layer of Ge or Au leads to non-conform patterning, the first approach involves transferring a graphene monolayer prior the HSQ deposition. The second path deals with transparent conductive polymer layers. For the bottom layer, the polymer is cross-linked for stability purposes and requires a post-treatment to improve the resulting degraded conductivity. For upper layer, the polymer is mixed a surfactant that allow a good spreading on HSQ and with a polar solvent which promotes both conductivity and polymer swelling to facilitate lift-off in water prior the HSQ development. Last but not ...
Document Type: conference object
File Description: application/octet-stream
Language: English
Relation: Journées Renatech 2025 Litho & Gravure
Availability: https://lilloa.univ-lille.fr/handle/20.500.12210/131603; https://hdl.handle.net/20.500.12210/131603
Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess
Accession Number: edsbas.C6CC1ADA
Database: BASE