Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N
| Title: | Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N |
|---|---|
| Authors: | L. Théolier; K. Isoird; H. Tr; F. Morancho; J. Roig; Y. Weber; E. N. Stefanov; J-m. Reynès; I. Introduction |
| Contributors: | The Pennsylvania State University CiteSeerX Archives |
| Source: | http://hal-ups-tlse.archives-ouvertes.fr/docs/01/00/22/55/PDF/Performances_dynamiques_des_transistors_FLYMOS_65Volts_A_canal_N.pdf. |
| Collection: | CiteSeerX |
| Description: | Résumé: Dans ce papier, un transistor FLYMOS ™ 65V est caractérisé en commutation pour la première fois dans le but d’être comparé à un transistor VDMOS conventionnel. Il s’avère que les mesures de capacités inter-électrodes et de gate charge des deux composants sont comparables. Une étude comparative, à l’aide de simulations 2D, de deux structures de même tenue en tension nous a permis de conforter ces résultats, confirmant l’hypothèse que l’insertion d’îlot flottants n’entraînait pas de phénomène parasite ou nouveau, dans le cas d’îlots faiblement dopés. |
| Document Type: | text |
| File Description: | application/pdf |
| Language: | English |
| Relation: | http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.635.6790 |
| Availability: | http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.635.6790; http://hal-ups-tlse.archives-ouvertes.fr/docs/01/00/22/55/PDF/Performances_dynamiques_des_transistors_FLYMOS_65Volts_A_canal_N.pdf |
| Rights: | Metadata may be used without restrictions as long as the oai identifier remains attached to it. |
| Accession Number: | edsbas.F9E8985F |
| Database: | BASE |