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CMOS Demonstration of Negative Capacitance HfO2-ZrO2 Superlattice Gate Stack in a Self-Aligned, Replacement Gate Process

Title: CMOS Demonstration of Negative Capacitance HfO2-ZrO2 Superlattice Gate Stack in a Self-Aligned, Replacement Gate Process
Authors: Shanker, N.; Cook, M.; Cheema, S.S.; Li, W.; Rastogi, R.; Pipitone, D.; Chen, C.; Smith, M.; Meninger, S.; Bauer, F.; Pinelli, G.; Hunt, J.; Salahuddin, S.; Mohamed, M.
Source: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2022 International. :34.3.1-34.3.4 Dec, 2022
Relation: 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library