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Investigation of different screening methods on threshold voltage and gate oxide lifetime of SiC Power MOSFETs

Title: Investigation of different screening methods on threshold voltage and gate oxide lifetime of SiC Power MOSFETs
Authors: Shi, Limeng; Zhu, Shengnan; Qian, Jiashu; Jin, Michael; Bhattacharya, Monikuntala; White, Marvin H.; Agarwal, Anant K.; Shimbori, Atsushi; Liu, Tianshi
Source: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023 IEEE International. :1-7 Mar, 2023
Relation: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library