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High In content GaInAsN on InP: composition dependent band gap energy and luminescence properties

Title: High In content GaInAsN on InP: composition dependent band gap energy and luminescence properties
Authors: Serries, D.; Geppert, T.; Ganser, P.; Kohler, K.; Wagner, J.
Source: Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307) Indium phosphide and related materials Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th. :389-392 2002
Relation: Proceedings of 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM)
Database: IEEE Xplore Digital Library