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0.1 /spl mu/m InP HEMT devices and MMICs for cryogenic low noise amplifiers from X-band to W-band

Title: 0.1 /spl mu/m InP HEMT devices and MMICs for cryogenic low noise amplifiers from X-band to W-band
Authors: Grundbacher, R.; Lai, R.; Barsky, M.; Tsai, R.; Gaier, T.; Weinreb, S.; Dawson, D.; Bautista, J.J.; Davis, J.F.; Erickson, N.; Block, T.; Oki, A.
Source: Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307) Indium phosphide and related materials Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th. :455-458 2002
Relation: Proceedings of 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM)
Database: IEEE Xplore Digital Library