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Enhancement of Selectivity for Chemical Mechanical Polishing by Ultra-High-Dose C and Si Ion Implantation

Title: Enhancement of Selectivity for Chemical Mechanical Polishing by Ultra-High-Dose C and Si Ion Implantation
Authors: Yuan, S.; Omori, K.; Yamaguchi, T.; Ide, T.; Muranaka, S.; Inoue, M.
Source: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 12:407-414 2024
Database: IEEE Xplore Digital Library