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Investigation of the Electron Trapping in Commercial Thick Silicon Dioxides Thermally Grown on 4H-SiC under the Constant Current Stress

Title: Investigation of the Electron Trapping in Commercial Thick Silicon Dioxides Thermally Grown on 4H-SiC under the Constant Current Stress
Authors: Qian, Jiashu; Shi, Limeng; Jin, Michael; Bhattacharya, Monikuntala; Yu, Hengyu; White, Marvin H.; Agarwal, Anant K.; Shimbori, Atsushi; Liu, Tianshi; Zhu, Shengnan
Source: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :1-6 Apr, 2024
Relation: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library