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Stochastic Resonance in HfO₂-Based Memristors: Impact of External Noise on the Binary STDP Protocol

Title: Stochastic Resonance in HfO₂-Based Memristors: Impact of External Noise on the Binary STDP Protocol
Authors: Salvador, E.; Rodriguez, R.; Miranda, E.; Martin-Martinez, J.; Rubio, A.; Ntinas, V.; Sirakoulis, G.C.; Crespo-Yepes, A.; Nafria, M.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(9):5761-5766 Sep, 2024
Database: IEEE Xplore Digital Library