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TOF-SIMS Analytical Method for Gate Oxide Breakdown Voltage Shift Failure

Title: TOF-SIMS Analytical Method for Gate Oxide Breakdown Voltage Shift Failure
Authors: Zhu, Lei; Teo, Lingling; Zhao, Yanfei; Leong, Henry; Long, Penny; Hua, Younan; Li, Xiaomin; Zhou, Hao; Chen, Qian
Source: 2024 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2024 IEEE International Symposium on. :1-4 Jul, 2024
Relation: 2024 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
Database: IEEE Xplore Digital Library