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Low QCVF 20 A/1.4 kV β-Ga₂O₃ Vertical Trench High-k RESURF Schottky Barrier Diode With Turn-On Voltage of 0.5 V

Title: Low QCVF 20 A/1.4 kV β-Ga₂O₃ Vertical Trench High-k RESURF Schottky Barrier Diode With Turn-On Voltage of 0.5 V
Authors: Roy, S.; Kostroun, B.; Liu, Y.; Cooke, J.; Bhattacharyya, A.; Peterson, C.; Sensale-Rodriguez, B.; Krishnamoorthy, S.
Source: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(12):2487-2490 Dec, 2024
Database: IEEE Xplore Digital Library