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Engineering UGR-VCMTCF RRAM Model for Adjusting to TiN/Ti/HfO2/W Devices

Title: Engineering UGR-VCMTCF RRAM Model for Adjusting to TiN/Ti/HfO2/W Devices
Authors: Mahboubi, V.; Gomez, A.; Calomarde, A.; Arumi, D.; Rodriguez, R.; Manich, S.
Source: 2024 39th Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS) Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS), 2024 39th Conference on. :1-6 Nov, 2024
Relation: 2024 39th Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS)
Database: IEEE Xplore Digital Library