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Evaluation of 1.2-kV Rated SiC Trench MOSFETs Under High-Voltage Switching Impulses

Title: Evaluation of 1.2-kV Rated SiC Trench MOSFETs Under High-Voltage Switching Impulses
Authors: Yu, Hengyu; Jin, Michael; Bhardwaj, Nikhil; Shi, Limeng; Bhattacharya, Monikuntala; Qian, Jiashu; Houshmand, Shiva; Liu, Tianshi; Shimbori, Atsushi; White, Marvin H.; Agarwal, Anant K.
Source: 2024 IEEE 11th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA) Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2024 IEEE 11th Workshop on. :1-4 Nov, 2024
Relation: 2024 IEEE 11th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA)
Database: IEEE Xplore Digital Library