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10 kV, 250°C Operational, Enhancement-Mode Ga2O3 JFET with Charge-Balance and Hybrid-Drain Designs

Title: 10 kV, 250°C Operational, Enhancement-Mode Ga2O3 JFET with Charge-Balance and Hybrid-Drain Designs
Authors: Qin, Yuan; Yang, Zineng; Gong, Hehe; Jacobs, Alan G.; Spencer, Joseph; Porter, Matthew; Wang, Bixuan; Sasaki, Kohei; Lin, Chia-Hung; Tadjer, Marko; Zhang, Yuhao
Source: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2024 IEEE International. :1-4 Dec, 2024
Relation: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library