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Impact of Interconnect on Ferroelectric FinFET-Based Logic-in-Memory Circuits at 3-nm Technology Node

Title: Impact of Interconnect on Ferroelectric FinFET-Based Logic-in-Memory Circuits at 3-nm Technology Node
Authors: Park, J.; Kim, H.; Jung, H.; Ra, C.; Jeon, J.
Source: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst. Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE Transactions on. 44(12):4691-4700 Dec, 2025
Database: IEEE Xplore Digital Library