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Accurate Leakage Current Modeling of THz Schottky Barrier Diodes Using a Bias-Dependent Junction Resistor

Title: Accurate Leakage Current Modeling of THz Schottky Barrier Diodes Using a Bias-Dependent Junction Resistor
Authors: Pathak, S.; Rakesh, A.; Sai Saravanan, G.; Singh, S.G.; Emani, N.K.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 72(7):3461-3468 Jul, 2025
Database: IEEE Xplore Digital Library