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Hysteresis-Induced Neuromorphic Behavior in 180nm Bulk PMOS Devices at 3K

Title: Hysteresis-Induced Neuromorphic Behavior in 180nm Bulk PMOS Devices at 3K
Authors: Imroze, Fiheon; Yalagala, Bhavani; Ahmad, Meraj; Elsayed, Mostafa; Graham, Robert; Colletta, Giuseppe; Heidari, Hadi; Weides, Martin
Source: 2025 IEEE 37th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2025 IEEE 37th International Conference on. :1-4 Mar, 2025
Relation: 2025 IEEE 37th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)
Database: IEEE Xplore Digital Library