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High-Power Quasi-Vertical Gan Schottky Barrier Diode RF Rectifier Based on Impedance Compression Network for WPT Applications

Title: High-Power Quasi-Vertical Gan Schottky Barrier Diode RF Rectifier Based on Impedance Compression Network for WPT Applications
Authors: Yu, Xiaochen; Lin, Ya-Xun; Zhou, Jiafeng; Yen, Ta-Jen; Mitrovic, Ivona Z.; Huang, Yi; He, Yejun; Song, Chaoyun
Source: 2025 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2025 Microwave Symposium - IMS 2025, 2025 IEEE/MTT-S International. :178-181 Jun, 2025
Relation: 2025 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2025
Database: IEEE Xplore Digital Library