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A Highly-Efficient 4.3 GBaud Push-Pull LDMOS Based Pre-Driver with 6V Signal-Swing for GaN HEMTs in 22 nm FDSOI

Title: A Highly-Efficient 4.3 GBaud Push-Pull LDMOS Based Pre-Driver with 6V Signal-Swing for GaN HEMTs in 22 nm FDSOI
Authors: Buballa, Frowin; Linnhoff, Sebastian; Wentzel, Andreas; Wittenhagen, Enne; Hoffmann, Thomas; Heinrich, Wolfgang; Gerfers, Friedel
Source: 2025 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2025 Microwave Symposium - IMS 2025, 2025 IEEE/MTT-S International. :320-323 Jun, 2025
Relation: 2025 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2025
Database: IEEE Xplore Digital Library