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Resistance Switching Properties of Stoichiometric and Nitrogen Implanted Silicon Nitride Nanolayers on N and P-Type Si Substrates

Title: Resistance Switching Properties of Stoichiometric and Nitrogen Implanted Silicon Nitride Nanolayers on N and P-Type Si Substrates
Authors: Mavropoulis, A. E.; Karakolis, P.; Vasileiadis, N.; Sygellou, L.; Stavroulakis, E.; Ioannou-Sougleridis, V.; Normand, P.; Sirakoulis, G. Ch.; Dimitrakis, P.
Source: 2025 IEEE 25th International Conference on Nanotechnology (NANO) Nanotechnology (NANO), 2025 IEEE 25th International Conference on. :477-481 Jul, 2025
Relation: 2025 IEEE 25th International Conference on Nanotechnology (NANO)
Database: IEEE Xplore Digital Library