Katalog Plus
Bibliothek der Frankfurt UAS
Bald neuer Katalog: sichern Sie sich schon vorab Ihre persönlichen Merklisten im Nutzerkonto: Anleitung.
Dieses Ergebnis aus IEEE Xplore Digital Library kann Gästen nicht angezeigt werden.  Login für vollen Zugriff.

A 180-nm Voltage-Controlled Magneto-Electric RAM With Sub-1-ns Switching Time

Title: A 180-nm Voltage-Controlled Magneto-Electric RAM With Sub-1-ns Switching Time
Authors: Suhail, H.; He, H.; Kurian Jacob, V.; Yang, J.; Wang, K.L.; Pamarti, S.
Source: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 61(5):2442-2452 May, 2026
Database: IEEE Xplore Digital Library