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Effects of γ-Ray Irradiation on Bulk Defects and Interface States in β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

Title: Effects of γ-Ray Irradiation on Bulk Defects and Interface States in β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
Authors: Zhang, Y.; Wang, N.; Ding, P.; Zhang, C.; Li, T.; Xu, K.; Sun, X.; Su, Y.; Zhong, Y.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 73(1):132-137 Jan, 2026
Database: IEEE Xplore Digital Library