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Total Ionizing Dose in 130-nm and 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors

Title: Total Ionizing Dose in 130-nm and 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
Authors: Belie, A. Adebabay; Pascal, F.; Boch, J.; Maraine, T.; Hoffmann, A.; Bouhouche, M.; Sagnes, B.; Chevalier, P.; Gloria, D.
Source: 2024 24th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2024 24th European Conference on. :1-4 Sep, 2024
Relation: 2024 24th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS)
Database: IEEE Xplore Digital Library