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Novel Low Temperature SiO2 Formation Process by Oxygen and Hydrogen Radicals for Core and I/O RMG Stacks: Achieving the Ultimate NBTI Reliability with a Charge-Free IL

Title: Novel Low Temperature SiO2 Formation Process by Oxygen and Hydrogen Radicals for Core and I/O RMG Stacks: Achieving the Ultimate NBTI Reliability with a Charge-Free IL
Authors: Franco, J.; Arimura, H.; Bastos, J. P.; Afanas'Ev, V.; De Marneffe, J.-F.; Kim, M.-S.; Kaczer, B.; Horiguchi, N.
Source: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2025 IEEE International. :1-4 Dec, 2025
Relation: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library