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SiGe Channel for Scaled Gate-All-Around Nanosheet pFET Transistor for Advanced Logic Applications

Title: SiGe Channel for Scaled Gate-All-Around Nanosheet pFET Transistor for Advanced Logic Applications
Authors: Mochizuki, S.; Kumar, S.; Greene, A.; Killic, K.; Wang, X.; Zhou, H.; Bryant, A.; Li, J.; Demarest, J.; Leobandung, E.
Source: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2025 IEEE International. :1-4 Dec, 2025
Relation: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library