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Selective etch process for fab-compatible top contacts, replacement oxide, and interlayer removal in 2D FETs

Title: Selective etch process for fab-compatible top contacts, replacement oxide, and interlayer removal in 2D FETs
Authors: Smets, Q.; Schram, T.; van Dorp, D.; Jiang, Y.; Opdebeeck, A.; Cott, D.; Sebaai, F.; Morin, P.; Govoreanu, B.; Panarella, L.; Kozhakhmetov, A.; Dorow, C. J.; Oni, A.; O'Brien, K. P.; Avci, U.; Lockhart De La Rosa, C. J.; Kar, G. S.
Source: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2025 IEEE International. :1-4 Dec, 2025
Relation: 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library