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High-κ Capping Layer Effects on Carrier Polarity and Reliability of SWNT Field Effect Transistors With Spin-on-Glass Buffer Layer

Title: High-κ Capping Layer Effects on Carrier Polarity and Reliability of SWNT Field Effect Transistors With Spin-on-Glass Buffer Layer
Authors: Lee, Y.S.; Park, S.; Bin Jo, H.; Min Kim, H.; Bae, H.; Hun Jin, S.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 73(3):1647-1655 Mar, 2026
Database: IEEE Xplore Digital Library