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Band Engineering of Gate Interlayer for Low-Voltage Operation and Enhanced Reliability in Gate-Injection Type FeFETs

Title: Band Engineering of Gate Interlayer for Low-Voltage Operation and Enhanced Reliability in Gate-Injection Type FeFETs
Authors: Kim, H.; Kim, G.; Choi, H.; Joh, H.; Kang, H.; Park, S.; Seo, K.; Kim, K.; Kim, W.; Ha, D.; Ahn, J.; Jeon, S.
Source: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 47(4):728-731 Apr, 2026
Database: IEEE Xplore Digital Library