Katalog Plus
Bibliothek der Frankfurt UAS
Bald neuer Katalog: sichern Sie sich schon vorab Ihre persönlichen Merklisten im Nutzerkonto: Anleitung.
Dieses Ergebnis aus IEEE Xplore Digital Library kann Gästen nicht angezeigt werden.  Login für vollen Zugriff.

Statistical Analysis of Metal Grain Granularities Induced Variability in 4T Complementary FET SRAM Cell

Title: Statistical Analysis of Metal Grain Granularities Induced Variability in 4T Complementary FET SRAM Cell
Authors: Patil, Deven H; Kumar, Sandeep; Rathore, Sunil; Dasgupta, S.; Bagga, Navjeet
Source: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2026 10th IEEE. :1-3 Mar, 2026
Relation: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
Database: IEEE Xplore Digital Library