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Unveiling Gate Leakage Dynamics in Nanosheet FETs at Cryogenic Temperature: A TCAD Study

Title: Unveiling Gate Leakage Dynamics in Nanosheet FETs at Cryogenic Temperature: A TCAD Study
Authors: Singh, Prabhat; Malvika; Shakir, Mohd.; Kumar, Sandeep; Rathore, Sunil; Bagga, Navjeet; Dasgupta, S.
Source: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2026 10th IEEE. :1-3 Mar, 2026
Relation: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
Database: IEEE Xplore Digital Library