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Comparative Study of Vacuum-Deposited and Solution-Combustion-Synthesis Al2O3-HfO2 Gate Dielectric for a-IGZO Thin-Film Transistors

Title: Comparative Study of Vacuum-Deposited and Solution-Combustion-Synthesis Al2O3-HfO2 Gate Dielectric for a-IGZO Thin-Film Transistors
Authors: Kastian, Dian Budiarti; Bermundo, Juan Paolo; Quino, Candell Grace Paredes; Hara, Kosuke O.; Uraoka, Yukiharu
Source: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2026 10th IEEE. :1-3 Mar, 2026
Relation: 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
Database: IEEE Xplore Digital Library