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Methodology for Extrapolating the Lifetime of GaN HEMTs with p-GaN Gate

Title: Methodology for Extrapolating the Lifetime of GaN HEMTs with p-GaN Gate
Authors: Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell'Andrea, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Pirani, A.; Millefanti, A.; Pizzo, G.; Fezzi, V.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-5 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library