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Effects of Packaging & Implantation Temperature on 1.2-kV SiC MOSFET Reliability Under HVDC-H3 TRB Stress

Title: Effects of Packaging & Implantation Temperature on 1.2-kV SiC MOSFET Reliability Under HVDC-H3 TRB Stress
Authors: Rummel, B.D.; Mancini, S.A.; Erlbaum, J.; Glaser, C.E.; Remple, C.; Floyd, R.; Binder, A.T.; Mueller, J.; Jang, S.Y.; Morgan, A.; Kaplar, R.J.; Sung, W.
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-5 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library