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Junction Extension Design Considerations for Low Leakage Vertical Channel DRAM Cell Array Transistor

Title: Junction Extension Design Considerations for Low Leakage Vertical Channel DRAM Cell Array Transistor
Authors: Jeong, Moonyoung; Yu, Kilho; Jun, Yootak; Choi, Jaehyun; Park, Seungwoo; Kim, Junsoo; Oh, Junghoon; Park, Segeun; Song, Jaihyuk
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-4 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library