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Transient Short-Channel Effects Induced by Si $\delta$ Doping in Buffer-Free $\mathrm{L}_{\mathrm{G}}=0.15 \mu \mathrm{m}$ AlGaN/GaN HEMTs

Title: Transient Short-Channel Effects Induced by Si $\delta$ Doping in Buffer-Free $\mathrm{L}_{\mathrm{G}}=0.15 \mu \mathrm{m}$ AlGaN/GaN HEMTs
Authors: De Pieri, F.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Carlotto, A.; Roy Chowdhury, S.; Saro, M.; Rampazzo, F.; Stieglauer, H.; Grunenputt, J.; Sommer, D.; Chen, Jr-Tai; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-5 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library