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Electrical Detection of Latent Silicide Diffusion in Advanced DRAM Using Gate-Induced Drain Leakage Asymmetry

Title: Electrical Detection of Latent Silicide Diffusion in Advanced DRAM Using Gate-Induced Drain Leakage Asymmetry
Authors: Park, Gahui; Tcho, Ilwoong; Ahn, Yongsoo; Park, Seran; Heo, Sunwoo; Hwang, Beomyong; Jeon, Changhoon; Min, Hyosun; Woo, Dongsoo; Chae, Kyosuk; Lee, Byunghyun; Park, Seguen
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-10 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library