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Ground-Plane Effect on Random Telegraph Noise in Mesa-Isolated SOI MOSFETs for 3D Sequential CIS

Title: Ground-Plane Effect on Random Telegraph Noise in Mesa-Isolated SOI MOSFETs for 3D Sequential CIS
Authors: Machmach, A.; Theodorou, C.; Balestra, F.; Place, S.; Gauthier, O.; Joblot, S.; Ponthenier, F.; Lacord, J.
Source: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026 IEEE International. :1-7 Mar, 2026
Relation: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library