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Effect of base thickness reduction on high speed characteristics and base resistance of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor

Title: Effect of base thickness reduction on high speed characteristics and base resistance of InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor
Authors: Kahn, M.; Blayac, S.; Riet, M.; Berdaguer, P.; Dhalluin, V.; Alexandre, F.; Aniel, F.; Godin, J.
Source: International Conference onIndium Phosphide and Related Materials, 2003. Indium phosphide and related materials Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on. :134-137 2003
Relation: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Database: IEEE Xplore Digital Library