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SIMS depth profiling and SRIM simulation to lower energy antimony implantation into silicon

Title: SIMS depth profiling and SRIM simulation to lower energy antimony implantation into silicon
Authors: Yupu Li; Shyue, J.; Hunter, J.; McComb, B.; Chun, M.; Doherty, R.; Foad, M.
Source: Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on Ion implantation technology proceedings Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on. :625-628 2002
Relation: Proceedings of the 2002 14th International Conference on Ion Implantation Technology
Database: IEEE Xplore Digital Library