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Gate Length Scaling in High fMAX Si/SiGe n-MODFET

Title: Gate Length Scaling in High fMAX Si/SiGe n-MODFET
Authors: Anie, F.; Enciso-Aguilar, M.; Crozat, P.; Adde, R.; Hackbarth, T.; Seiler, U.; Herzog, H.-J.; Konig, U.; von Kanel, H.
Source: 32nd European Solid-State Device Research Conference Solid-State Device Research Conference, 2002. Proceeding of the 32nd European. :167-170 2002
Relation: 32nd European Solid-State Device Research Conference
Database: IEEE Xplore Digital Library