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Reliability Demonstration of a Ferroelectric Random Access Memory Embedded within a 130nm CMOS Process

Title: Reliability Demonstration of a Ferroelectric Random Access Memory Embedded within a 130nm CMOS Process
Authors: Rodriguez, J.; Remack, K.; Gertas, J.; Boku, K.; Udayakumar, K.R.; Summerfelt, S.; Shinn, G.; Madan, S.; Mcadams, H.; Moise, T.; Eliason, J.; Bailey, R.; Depner, M.; Kim, D.; Staubs, P.
Source: 2007 Non-Volatile Memory Technology Symposium Non-Volatile Memory Technology Symposium, 2007. NVMTS '07. :64-66 Nov, 2007
Relation: 2007 Non-Volatile Memory Technology Symposium
Database: IEEE Xplore Digital Library